Investigadores noruegos han logrado desarrollar el primer método de producción en masa de semiconductores de grafeno. El descubrimiento, que tiene el potencial de revolucionar el mundo de la tecnología, implica el “bombeo” de la superficie de una placa de semiconductores con atomos de galio y moléculas de arsénico, resultando en una red de cables nanometricos.
Como resultado del nuevo método, los científicos obtienen un material hibrido con el grosor de solo un micrómetro con propiedades semiconductoras. En comparación, los semiconductores de silicio utilizados actualmente por la industria electrónica son cientos de veces más gruesas, una situación que provoca que sean más propensos a cambios de temperatura, y a los efectos de la adición de otros átomos.
Potencial revolucionario
Uno de los materiales más finos y resistente conocido por la humanidad, el grafeno es constituido por una única capa transparente y maleable de átomos de carbono. Además de conducir de forma eficiente la electricidad sin calentarse mucho durante el proceso, el elemento llama la atención porque es muy barato a la hora producirlo.
Teniendo en cuenta que es posible producir semiconductores con grafeno en lugar de silicio, se puede hacer componentes que son más baratos y eficientes de aquellos disponibles en el mercado. Afirmaba el Dr. Helge Weman, de la Norwegian University of Sciencie e Technology (NTNU).
