RRAM, uma memoria 20 veces mas rápida que la memoria flash

La empresa estadounidense Crossbar anunció hoy un nuevo tipo de chip de memoria que puede reemplazar a la memoria flash en una serie de aplicaciones.

Se trata de la RAM resistiva (Resistive RAM o RRAM), una tecnología que puede almacenar 1 terabyte de datos en un único chip más pequeño que una estampilla. El proyecto fue desarrollado por una startup llamada Santa Clara, ubicada en California, Estados Unidos.

La RRAM es capaz de acceder a datos 20 veces más rápido que la mejor memoria flash disponible hoy en el mercado. Y puede causar un grave daño en el mercado de la memoria flash, que está presente en diversos aparatos tales como cámaras digitales, iPhone y tablets, causando pérdidas de 60 billones de dólares.

En la misma forma que la memoria flash, RRAM es una memoria de almacenamiento no volátil, lo que significa que puede almacenar datos permanentemente, incluso cuando la energía está apagada.

Mas rápida y resistente

Crossbar afirma que la RRAM permitirá una nueva ola de innovación electrónica para consumidores, empresas e industrias. Con 1 TB de almacenamiento, por ejemplo, puede agregar 250 horas de película de alta definición en un pequeño chip.

Además, gasta 20 veces menos energía, lo extiende la duración de la batería de los dispositivos durante semanas, meses o años. La compañía también afirma que la RRAM es 10 veces más fuerte que los chips de memoria flash NAND.

Crossbar cree que puede escribir datos a el chip a una velocidad de 140 megabytes por segundo, en comparación con los 7 megabytes por segundo de la memoria flash. El rendimiento de lectura es de 17 megabytes por segundo.

Según George Minassian, Director Ejecutivo de la compañía Crossbar, la tecnología es fácil de fabricar y en tres años ya estaría disponible en el mercado. Por supuesto la tarea no será fácil para la empresa, ya que siempre es difícil de reemplazar una tecnologia existente a gran escala con una nueva tecnologia.


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