SK Hynix anuncia memoria RAM de 4G para dispositivos móviles

La compañía de TI sur coreana SK Hynix anuncio hoy día que está trabajando en el desarrollo de un módulo LPDDR3 (memoria RAM de bajo consumo y destinada para los dispositivos móviles) más rápida del mundo.

Fabricado con la arquitectura de 20 nanómetros (inferior a 30 nanómetros para la actual generación de smartphones y tablets), los chips pueden proporcionar hasta 4 GB de RAM en los dispositivos móviles High-end y es capaz de trabajar con datos a una velocidad de 2,133 Mbps. Tal velocidad supera los 1.600 Mbps de los módulos empleados actualmente en los gadgets top como el Galaxy S4, por ejemplo.

SK Hynix anuncia memoria RAM de 4G para dispositivos móviles

Según Hynix, SK los nuevos módulos también consumen 10% de energía menos que el viejo LPDDR2. Prototipos ya han sido enviados a algunas manufacturadoras, pero la producción en masa de los chips sólo deberían empezar a finales de 2013, es decir, todavía tomará algún tiempo antes de que podemos poner las manos en un móvil con 4 GB de RAM.

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