Samsung anunciada hoy jueves (11) que comenzarán la producción en masa de tarjetas de memoria NAND Flash de 128 GB. Estos chips se basará en el diseño 3 bits de células niveles múltiples y sus procesadores contarán con tecnología de 10 nm-class. La tasa de transferencia de datos de la tarjeta correrá los 400 megabits por segundo, el rendimiento es el más robusto hasta ahora en el mercado de los chips de almacenamiento de datos.
La compañía surcoreana informó también que pasará a la fabricación de unidades SSD con capacidad de más de 500 GB. La intención es integrar estos dispositivos en los sistemas informáticos existentes – ya que Samsung es una de las empresas líderes en la venta de notebooks (que todavía tienen unidades de discos duros).
«Introduciendo la próxima generación de productos de almacenamiento de memoria, como chips NAND de 128 GB, Samsung está muy bien situado en medio de la demanda del consumo a nivel mundial», dijo YoungHyun Jun, vicepresidente de ventas y marketing empresa.
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